NVMTS1D2N08H
MOSFET N-CH 80V 43.5A/337A 8DFNW
NOVA-Teilenummer:
312-2306091-NVMTS1D2N08H
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
NVMTS1D2N08H
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 80 V 43.5A (Ta), 337A (Tc) 5W (Ta), 300W (Tc) Surface Mount 8-DFNW (8.3x8.4)
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | 8-DFNW (8.3x8.4) | |
| Basisproduktnummer | NVMTS1 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 43.5A (Ta), 337A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1mOhm @ 90A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 590µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 147 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 80 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 10100 pF @ 40 V | |
| Verlustleistung (max.) | 5W (Ta), 300W (Tc) | |
| Andere Namen | 488-NVMTS1D2N08HDKR NVMTS1D2N08H-ND 488-NVMTS1D2N08HCT 488-NVMTS1D2N08HTR |
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