IPN60R2K0PFD7SATMA1
MOSFET N-CH 650V 3A SOT223
NOVA-Teilenummer:
312-2274961-IPN60R2K0PFD7SATMA1
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
IPN60R2K0PFD7SATMA1
Standardpaket:
3,000
N-Channel 650 V 3A (Tc) 6W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | PG-SOT223 | |
| Basisproduktnummer | IPN60R2 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | CoolMOS™PFD7 | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 3A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 500mA, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 30µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 3.8 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-261-3 | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 134 pF @ 400 V | |
| Verlustleistung (max.) | 6W (Tc) | |
| Andere Namen | 448-IPN60R2K0PFD7SATMA1CT SP003493700 448-IPN60R2K0PFD7SATMA1TR 448-IPN60R2K0PFD7SATMA1DKR |
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