SIR104DP-T1-RE3

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Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Vishay Siliconix
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	PowerPAK® SO-8
Basisproduktnummer	SIR104
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	TrenchFET® Gen IV
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	18.3A (Ta), 79A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.4mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	84 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	PowerPAK® SO-8
Vgs (Max)	±20V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	4230 pF @ 50 V
Verlustleistung (max.)	5.4W (Ta), 100W (Tc)
Andere Namen	SIR104DP-T1-RE3CT SIR104DP-T1-RE3DKR SIR104DP-RE3 SIR104DP-T1-RE3TR

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