IPB60R165CPATMA1
MOSFET N-CH 600V 21A TO263-3
NOVA-Teilenummer:
312-2283507-IPB60R165CPATMA1
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
IPB60R165CPATMA1
Standardpaket:
1,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 600 V 21A (Tc) 192W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | PG-TO263-3-2 | |
| Basisproduktnummer | IPB60R165 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | CoolMOS™ | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 21A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 165mOhm @ 12A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 790µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 52 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 2000 pF @ 100 V | |
| Verlustleistung (max.) | 192W (Tc) | |
| Andere Namen | IPB60R165CPDKR-ND IPB60R165CPCT-ND IPB60R165CP IPB60R165CPATMA1DKR SP000096439 IPB60R165CPTR-ND IPB60R165CPXT IPB60R165CPDKR IPB60R165CP-ND IPB60R165CPATMA1TR IPB60R165CPATMA1CT IPB60R165CPCT |
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