IPB057N06NATMA1

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Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Infineon Technologies
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	PG-TO263-3
Basisproduktnummer	IPB057
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	OptiMOS™
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	17A (Ta), 45A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.7mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.8V @ 36µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	27 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (Max)	±20V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	2000 pF @ 30 V
Verlustleistung (max.)	3W (Ta), 83W (Tc)
Andere Namen	IPB057N06N-ND IPB057N06NATMA1DKR IPB057N06NCT IPB057N06NDKR-ND IPB057N06NATMA1CT IPB057N06N IPB057N06NDKR IPB057N06NATMA1TR IPB057N06NCT-ND IPB057N06NTR-ND SP000962140 IPB057N06NTR

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