NVJS4151PT1G
MOSFET P-CH 20V 3.2A SC88
NOVA-Teilenummer:
312-2280348-NVJS4151PT1G
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
NVJS4151PT1G
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
P-Channel 20 V 3.2A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | SC-88/SC70-6/SOT-363 | |
| Basisproduktnummer | NVJS4151 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 3.2A (Ta) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 1.5V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 67mOhm @ 2.9A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 4.5 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| Vgs (Max) | ±12V | |
| FET-Typ | P-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 850 pF @ 10 V | |
| Verlustleistung (max.) | 1.2W (Ta) | |
| Andere Namen | NVJS4151PT1GOSCT NVJS4151PT1G-ND NVJS4151PT1GOSDKR ONSONSNVJS4151PT1G NVJS4151PT1GOSTR 2156-NVJS4151PT1G-OS |
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