SQJ180EP-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
NOVA-Teilenummer:
312-2295735-SQJ180EP-T1_GE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SQJ180EP-T1_GE3
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 80 V 248A (Tc) 500W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | PowerPAK® SO-8 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Gen IV | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 248A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3mOhm @ 15A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 117 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | PowerPAK® SO-8 | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 80 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 6645 pF @ 25 V | |
| Verlustleistung (max.) | 500W (Tc) | |
| Andere Namen | 742-SQJ180EP-T1_GE3CT 742-SQJ180EP-T1_GE3DKR 742-SQJ180EP-T1_GE3TR |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
NTAT6H406NT4Gonsemi
NVMYS3D3N06CLTWGonsemi
SQJQ480E-T1_GE3Vishay Siliconix
SQJQ160E-T1_GE3Vishay Siliconix
NTMTS001N06CLTXGonsemi
SUM80090E-GE3Vishay Siliconix
IAUS200N08S5N023ATMA1Infineon Technologies
FDBL0210N80onsemi- IAUS240N08S5N019ATMA1Infineon Technologies
- SQJQ112E-T1_GE3Vishay Siliconix
NVMJS2D5N06CLTWGonsemi