SIAA02DJ-T1-GE3

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Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Vishay Siliconix
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	PowerPAK® SC-70-6
Basisproduktnummer	SIAA02
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	TrenchFET® Gen IV
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	22A (Ta), 52A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.7mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.6V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	33 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	PowerPAK® SC-70-6
Vgs (Max)	+12V, -8V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	1250 pF @ 10 V
Verlustleistung (max.)	3.5W (Ta), 19W (Tc)
Andere Namen	742-SIAA02DJ-T1-GE3DKR 742-SIAA02DJ-T1-GE3CT 742-SIAA02DJ-T1-GE3TR

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