IPD25N06S4L30ATMA2

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Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Infineon Technologies
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	PG-TO252-3-11
Basisproduktnummer	IPD25N06
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	25A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	30mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 8µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	16.3 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Max)	±16V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	1220 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.)	29W (Tc)
Andere Namen	IPD25N06S4L30ATMA2TR IPD25N06S4L30ATMA2-ND 2156-IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25N06S4L30ATMA2DKR SP001028636 IPD25N06S4L30ATMA2CT IFEINFIPD25N06S4L30ATMA2

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