SI4435DYTRPBF
MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
NOVA-Teilenummer:
312-2280352-SI4435DYTRPBF
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SI4435DYTRPBF
Standardpaket:
4,000
Technisches Datenblatt:
P-Channel 30 V 8A (Tc) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | 8-SO | |
| Basisproduktnummer | SI4435 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | HEXFET® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 8A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 8A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | P-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 2320 pF @ 15 V | |
| Verlustleistung (max.) | 2.5W (Ta) | |
| Andere Namen | SI4435DYPBFTR SI4435DYPBFCT SI4435DYPBFDKR SP001573756 *SI4435DYTRPBF |
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