FDD5614P
MOSFET P-CH 60V 15A TO252
NOVA-Teilenummer:
312-2281874-FDD5614P
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
FDD5614P
Standardpaket:
2,500
Technisches Datenblatt:
P-Channel 60 V 15A (Ta) 3.8W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount TO-252AA
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | TO-252AA | |
| Basisproduktnummer | FDD5614 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | PowerTrench® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 15A (Ta) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 4.5A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | P-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 759 pF @ 30 V | |
| Verlustleistung (max.) | 3.8W (Ta), 42W (Tc) | |
| Andere Namen | FDD5614PDKR FDD5614PTR FDD5614PCT |
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