IPP052NE7N3GXKSA1
MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
NOVA-Teilenummer:
312-2270934-IPP052NE7N3GXKSA1
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
IPP052NE7N3GXKSA1
Standardpaket:
50
Technisches Datenblatt:
N-Channel 75 V 80A (Tc) 150W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Through Hole | |
| Gerätepaket des Lieferanten | PG-TO220-3-1 | |
| Basisproduktnummer | IPP052 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | OptiMOS™ | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 80A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.2mOhm @ 80A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 91µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 68 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-220-3 | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 75 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 4750 pF @ 37.5 V | |
| Verlustleistung (max.) | 150W (Tc) | |
| Andere Namen | SP000641726 IPP052NE7N3 G-ND IPP052NE7N3G IPP052NE7N3 G |
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