SISS10ADN-T1-GE3

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Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Vishay Siliconix
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	PowerPAK® 1212-8S
Basisproduktnummer	SISS10
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	TrenchFET® Gen IV
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	31.7A (Ta), 109A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.65mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	61 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	PowerPAK® 1212-8S
Vgs (Max)	+20V, -16V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	3030 pF @ 20 V
Verlustleistung (max.)	4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
Andere Namen	SISS10ADN-T1-GE3TR SISS10ADN-T1-GE3CT SISS10ADN-T1-GE3DKR

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