FCPF650N80Z

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
NOVA-Teilenummer:
312-2275768-FCPF650N80Z
Hersteller-Teile-Nr:
FCPF650N80Z
Standardpaket:
1
Technisches Datenblatt:

N-Channel 800 V 8A (Tc) 30.5W (Tc) Through Hole TO-220F

More Information
KategorieTransistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
HerstellerFairchild Semiconductor
RoHS 1
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartThrough Hole
Gerätepaket des Lieferanten TO-220F
Basisproduktnummer FCPF650
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
SerieSuperFET® II
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 8A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 650mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 800µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V
FET-Funktion-
Paket/KofferTO-220-3 Full Pack
Vgs (Max)±20V
FET-TypN-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)800 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1565 pF @ 100 V
Verlustleistung (max.) 30.5W (Tc)
Andere Namen2156-FCPF650N80Z
ONSFSCFCPF650N80Z

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