SQ2308CES-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23
NOVA-Teilenummer:
312-2280892-SQ2308CES-T1_GE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SQ2308CES-T1_GE3
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 60 V 2.3A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | SOT-23-3 (TO-236) | |
| Basisproduktnummer | SQ2308 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 2.3A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 2.3A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 5.3 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 205 pF @ 30 V | |
| Verlustleistung (max.) | 2W (Tc) | |
| Andere Namen | SQ2308CES-T1-GE3-ND SQ2308CES-T1-GE3 SQ2308CES-T1_GE3TR SQ2308CES-T1_GE3DKR SQ2308CES-T1_GE3CT |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
MIC94070YC6-TRMicrochip Technology
LM5114BMF/NOPBTexas Instruments
158AVG016MGBJIllinois Capacitor
