SQJA64EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 15A PPAK SO-8
NOVA-Teilenummer:
312-2276850-SQJA64EP-T1_GE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SQJA64EP-T1_GE3
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 60 V 15A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | PowerPAK® SO-8 | |
| Basisproduktnummer | SQJA64 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 15A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32mOhm @ 4A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | PowerPAK® SO-8 | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 670 pF @ 25 V | |
| Verlustleistung (max.) | 45W (Tc) | |
| Andere Namen | SQJA64EP-T1_GE3DKR SQJA64EP-T1_GE3TR SQJA64EP-T1_GE3CT |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
- SQ2389ES-T1_GE3Vishay Siliconix
- MMBZ4697-E3-08Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- TPS2042DRTexas Instruments
- NVMYS025N06CLTWGonsemi
- PDZ10BGWXNexperia USA Inc.
- TC54VN2902ECB713Microchip Technology
- SQJA00EP-T1_GE3Vishay Siliconix
- SQJ850EP-T1_GE3Vishay Siliconix
- BSN20BKRNexperia USA Inc.







