DMN62D0LFB-7
MOSFET N-CH 60V 100MA 3DFN
NOVA-Teilenummer:
312-2273675-DMN62D0LFB-7
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
DMN62D0LFB-7
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 60 V 100mA (Ta) 470mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1006-3
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | X1-DFN1006-3 | |
| Basisproduktnummer | DMN62 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 100mA (Ta) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 1.5V, 4V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 100mA, 4V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 0.45 nC @ 4.5 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | 3-UFDFN | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 32 pF @ 25 V | |
| Verlustleistung (max.) | 470mW (Ta) | |
| Andere Namen | DMN62D0LFB-7DICT DMN62D0LFB-7DITR DMN62D0LFB-7DI-ND DMN62D0LFB-7DI DMN62D0LFB-7DIDKR |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
DMP32D4SFB-7BDiodes Incorporated- DMN62D1LFB-7BDiodes Incorporated
RUM001L02T2CLRohm Semiconductor- DMN62D1SFB-7BDiodes Incorporated
- DMN65D8LFB-7Diodes Incorporated
MMBTA56LT3Gonsemi
DMP21D5UFB4-7BDiodes Incorporated- DMP58D0LFB-7Diodes Incorporated
- DMN2400UFB-7Diodes Incorporated
EPC2036EPC- DMN65D8LFB-7BDiodes Incorporated
- DMN26D0UFB4-7Diodes Incorporated