SQJQ100E-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8
NOVA-Teilenummer:
312-2273678-SQJQ100E-T1_GE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SQJQ100E-T1_GE3
Standardpaket:
2,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 40 V 200A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | PowerPAK® 8 x 8 | |
| Basisproduktnummer | SQJQ100 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 200A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 165 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | PowerPAK® 8 x 8 | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 14780 pF @ 25 V | |
| Verlustleistung (max.) | 150W (Tc) | |
| Andere Namen | SQJQ100E-T1_GE3TR SQJQ100E-T1_GE3DKR SQJQ100E-T1_GE3CT |
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