DMNH6012LK3Q-13

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Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Diodes Incorporated
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	TO-252-4L
Basisproduktnummer	DMNH6012
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	Automotive, AEC-Q101
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	80A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	35.2 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Vgs (Max)	±20V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	1926 pF @ 30 V
Verlustleistung (max.)	2W (Ta)
Andere Namen	DMNH6012LK3Q-13DICT DMNH6012LK3Q-13-ND DMNH6012LK3Q-13DITR DMNH6012LK3Q-13DIDKR

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