SCT2280KEGC11
1200V, 14A, THD, SILICON-CARBIDE
NOVA-Teilenummer:
312-2294004-SCT2280KEGC11
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SCT2280KEGC11
Standardpaket:
450
Technisches Datenblatt:
N-Channel 1200 V 14A (Tc) 108W (Tc) Through Hole TO-247N
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Betriebstemperatur | 175°C | |
| Befestigungsart | Through Hole | |
| Gerätepaket des Lieferanten | TO-247N | |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Serie | - | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 14A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 18V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 364mOhm @ 4A, 18V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1.4mA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 18 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-247-3 | |
| Vgs (Max) | +22V, -6V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 667 pF @ 800 V | |
| Verlustleistung (max.) | 108W (Tc) | |
| Andere Namen | 846-SCT2280KEGC11 |
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