SQ4153EY-T1_GE3
MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC
NOVA-Teilenummer:
312-2291194-SQ4153EY-T1_GE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SQ4153EY-T1_GE3
Standardpaket:
2,500
Technisches Datenblatt:
P-Channel 12 V 25A (Tc) 7.1W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | 8-SOIC | |
| Basisproduktnummer | SQ4153 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 25A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 1.8V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.32mOhm @ 14A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 151 nC @ 4.5 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| Vgs (Max) | ±8V | |
| FET-Typ | P-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 12 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 11000 pF @ 6 V | |
| Verlustleistung (max.) | 7.1W (Tc) | |
| Andere Namen | SQ4153EY-T1_GE3DKR SQ4153EY-T1_GE3TR SQ4153EY-T1_GE3CT SQ4153EY-T1_GE3-ND |
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