IMBG120R045M1HXTMA1
SICFET N-CH 1.2KV 47A TO263
NOVA-Teilenummer:
312-2299902-IMBG120R045M1HXTMA1
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
IMBG120R045M1HXTMA1
Standardpaket:
1,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 1200 V 47A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-12
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | PG-TO263-7-12 | |
| Basisproduktnummer | IMBG120 | |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Serie | CoolSiC™ | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 47A (Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 63mOhm @ 16A, 18V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.7V @ 7.5mA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 46 nC @ 18 V | |
| FET-Funktion | Standard | |
| Paket/Koffer | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA | |
| Vgs (Max) | +18V, -15V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 1527 pF @ 800 V | |
| Verlustleistung (max.) | 227W (Tc) | |
| Andere Namen | SP005349829 448-IMBG120R045M1HXTMA1CT 448-IMBG120R045M1HXTMA1DKR 448-IMBG120R045M1HXTMA1TR |
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