DMN60H080DS-7
MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23-3
NOVA-Teilenummer:
312-2284364-DMN60H080DS-7
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
DMN60H080DS-7
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 600 V 80mA (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-23-3
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | SOT-23-3 | |
| Basisproduktnummer | DMN60 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 80mA (Ta) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100Ohm @ 60mA, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 1.7 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 25 pF @ 25 V | |
| Verlustleistung (max.) | 1.1W (Ta) | |
| Andere Namen | DMN60H080DS-7DIDKR DMN60H080DS-7-ND DMN60H080DS-7DICT DMN60H080DS-7DITR |
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