SIHD1K4N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 4.2A TO252AA
NOVA-Teilenummer:
312-2265247-SIHD1K4N60E-GE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SIHD1K4N60E-GE3
Standardpaket:
2,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 600 V 4.2A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount D-Pak
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | D-Pak | |
| Basisproduktnummer | SIHD1 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | E | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 4.2A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.45Ohm @ 500mA, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Max) | ±30V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 172 pF @ 100 V | |
| Verlustleistung (max.) | 63W (Tc) | |
| Andere Namen | SIHD1K4N60E-GE3DKR SIHD1K4N60E-GE3DKR-ND SIHD1K4N60E-GE3TR-ND SIHD1K4N60E-GE3DKRINACTIVE SIHD1K4N60E-GE3CT SIHD1K4N60E-GE3CT-ND SIHD1K4N60E-GE3TR SIHD1K4N60E-GE3CTINACTIVE |
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