SISA96DN-T1-GE3

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Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Vishay Siliconix
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	PowerPAK® 1212-8
Basisproduktnummer	SISA96
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	TrenchFET® Gen IV
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	16A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.8mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	15 nC @ 4.5 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	PowerPAK® 1212-8
Vgs (Max)	+20V, -16V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	1385 pF @ 15 V
Verlustleistung (max.)	26.5W (Tc)
Andere Namen	SISA96DN-T1-GE3TR SISA96DN-T1-GE3DKR SISA96DN-T1-GE3CT

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