SIRA52DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
NOVA-Teilenummer:
312-2272471-SIRA52DP-T1-GE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SIRA52DP-T1-GE3
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 40 V 60A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | PowerPAK® SO-8 | |
| Basisproduktnummer | SIRA52 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | TrenchFET® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 60A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7mOhm @ 15A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 150 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | PowerPAK® SO-8 | |
| Vgs (Max) | +20V, -16V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 7150 pF @ 20 V | |
| Verlustleistung (max.) | 48W (Tc) | |
| Andere Namen | SIRA52DP-T1-GE3CT SIRA52DP-T1-GE3TR SIRA52DP-T1-GE3DKR |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
SIRA52ADP-T1-RE3Vishay Siliconix
NVMFD5C650NLWFT1Gonsemi
LT6108IMS8-2#TRPBFAnalog Devices Inc.
SIJ438DP-T1-GE3Vishay Siliconix
SI4925DDY-T1-GE3Vishay Siliconix
HV7802MG-GMicrochip Technology
DMN3067LW-7Diodes Incorporated
SIS476DN-T1-GE3Vishay Siliconix
