SIR804DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
NOVA-Teilenummer:
312-2282844-SIR804DP-T1-GE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SIR804DP-T1-GE3
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 100 V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | PowerPAK® SO-8 | |
| Basisproduktnummer | SIR804 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | TrenchFET® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 60A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.2mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 76 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | PowerPAK® SO-8 | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 2450 pF @ 50 V | |
| Verlustleistung (max.) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) | |
| Andere Namen | SIR804DPT1GE3 SIR804DP-T1-GE3CT SIR804DP-T1-GE3TR SIR804DP-T1-GE3DKR |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
SIDR870ADP-T1-GE3Vishay Siliconix
MCAC50N10Y-TPMicro Commercial Co
IPT059N15N3ATMA1Infineon Technologies
XPH4R10ANB,L1XHQToshiba Semiconductor and Storage
FDWS86068-F085onsemi
SI7178DP-T1-GE3Vishay Siliconix- SIR846DP-T1-GE3Vishay Siliconix
A759EK477M0JAAE016KEMET
