SIHD12N50E-GE3
MOSFET N-CH 550V 10.5A DPAK
NOVA-Teilenummer:
312-2264425-SIHD12N50E-GE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SIHD12N50E-GE3
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 550 V 10.5A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount D-Pak
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TA) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | D-Pak | |
| Basisproduktnummer | SIHD12 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | E | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 10.5A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 6A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 50 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Max) | ±30V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 550 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 886 pF @ 100 V | |
| Verlustleistung (max.) | 114W (Tc) | |
| Andere Namen | SIHD12N50E-GE3CT SIHD12N50E-GE3TRINACTIVE SIHD12N50E-GE3DKR-ND SIHD12N50E-GE3DKRINACTIVE SIHD12N50E-GE3DKR SIHD12N50E-GE3TR-ND SIHD12N50E-GE3CT-ND SIHD12N50E-GE3TR |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
NTD360N65S3Honsemi
STD15N50M2AGSTMicroelectronics