STD100N10F7
MOSFET N CH 100V 80A DPAK
NOVA-Teilenummer:
312-2280908-STD100N10F7
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
STD100N10F7
Standardpaket:
2,500
Technisches Datenblatt:
N-Channel 100 V 80A (Tc) 120W (Tc) Surface Mount DPAK
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | DPAK | |
| Basisproduktnummer | STD100 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | DeepGATE™, STripFET™ VII | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 80A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 40A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 61 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 4369 pF @ 50 V | |
| Verlustleistung (max.) | 120W (Tc) | |
| Andere Namen | 497-13548-2 497-13548-1 497-13548-5-ND 497-13548-6 497-13548-5 |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
- IRF2807STRLPBFInfineon Technologies
- AP2204R-3.3TRG1Diodes Incorporated
- STTH6004WSTMicroelectronics
- LMV331QDBVRQ1Texas Instruments
- IPD110N12N3GATMA1Infineon Technologies
- STF2N95K5STMicroelectronics
- STD105N10F7AGSTMicroelectronics
- IPD068N10N3GATMA1Infineon Technologies
- MJD44H11T4STMicroelectronics








