FQT4N20LTF
MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4
NOVA-Teilenummer:
312-2285251-FQT4N20LTF
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
FQT4N20LTF
Standardpaket:
4,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 200 V 850mA (Tc) 2.2W (Tc) Surface Mount SOT-223-4
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | SOT-223-4 | |
| Basisproduktnummer | FQT4N20 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | QFET® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 850mA (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.35Ohm @ 425mA, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 5.2 nC @ 5 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-261-4, TO-261AA | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 310 pF @ 25 V | |
| Verlustleistung (max.) | 2.2W (Tc) | |
| Andere Namen | FQT4N20LTFDKR FAIFSCFQT4N20LTF FQT4N20LTF-ND FQT4N20LTFTR FQT4N20LTFCT 2156-FQT4N20LTF-OS |
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