DMTH6010LPSQ-13
MOSFET N-CH 60V 13.5A PWRDI5060
NOVA-Teilenummer:
312-2278183-DMTH6010LPSQ-13
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
DMTH6010LPSQ-13
Standardpaket:
2,500
Technisches Datenblatt:
N-Channel 60 V 13.5A (Ta), 100A (Tc) 2.6W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | PowerDI5060-8 | |
| Basisproduktnummer | DMTH6010 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 13.5A (Ta), 100A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 41.3 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 2090 pF @ 30 V | |
| Verlustleistung (max.) | 2.6W (Ta), 136W (Tc) | |
| Andere Namen | DMTH6010LPSQ-13DIDKR DMTH6010LPSQ-13DITR DMTH6010LPSQ-13DICT |
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