STB100N10F7
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
NOVA-Teilenummer:
312-2290667-STB100N10F7
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
STB100N10F7
Standardpaket:
1,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 100 V 80A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | D²PAK (TO-263) | |
| Basisproduktnummer | STB100 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | DeepGATE™, STripFET™ VII | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 80A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 40A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 61 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 4369 pF @ 50 V | |
| Verlustleistung (max.) | 150W (Tc) | |
| Andere Namen | -497-14527-1 497-14527-6 -497-14527-2 497-14527-1 497-14527-2 STB100N10F7-ND -497-14527-6 |
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