SQD10N30-330H_GE3
MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA
NOVA-Teilenummer:
312-2288021-SQD10N30-330H_GE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SQD10N30-330H_GE3
Standardpaket:
2,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 300 V 10A (Tc) 107W (Tc) Surface Mount TO-252AA
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | TO-252AA | |
| Basisproduktnummer | SQD10 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 10A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 330mOhm @ 14A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.4V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 47 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Max) | ±30V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 300 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 2190 pF @ 25 V | |
| Verlustleistung (max.) | 107W (Tc) | |
| Andere Namen | SQD10N30-330H_GE3CT SQD10N30-330H_GE3-ND SQD10N30-330H_GE3TR SQD10N30-330H_GE3DKR |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
PAA150STRIXYS Integrated Circuits Division
STD15N50M2AGSTMicroelectronics- STD10NF30STMicroelectronics