CSD18512Q5BT

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Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Texas Instruments
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	8-VSON-CLIP (5x6)
Basisproduktnummer	CSD18512
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	NexFET™
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	211A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.6mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	98 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	8-PowerTDFN
Vgs (Max)	±20V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	7120 pF @ 20 V
Verlustleistung (max.)	139W (Tc)
Andere Namen	296-CSD18512Q5BTCT CSD18512Q5BT-ND 2156-CSD18512Q5BT TEXTISCSD18512Q5BT 296-CSD18512Q5BTDKR 296-CSD18512Q5BTTR

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