IXTH80N65X2

MOSFET N-CH 650V 80A TO247
NOVA-Teilenummer:
312-2291212-IXTH80N65X2
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
IXTH80N65X2
Standardpaket:
30
Technisches Datenblatt:

N-Channel 650 V 80A (Tc) 890W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)

More Information
KategorieTransistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
HerstellerIXYS
RoHS 1
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartThrough Hole
Gerätepaket des Lieferanten TO-247 (IXTH)
Basisproduktnummer IXTH80
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
SerieUltra X2
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 80A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 144 nC @ 10 V
FET-Funktion-
Paket/KofferTO-247-3
Vgs (Max)±30V
FET-TypN-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)650 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 7753 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.) 890W (Tc)

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