TPH2R408QM,L1Q
MOSFET N-CH 80V 120A 8SOP
NOVA-Teilenummer:
312-2279424-TPH2R408QM,L1Q
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
TPH2R408QM,L1Q
Standardpaket:
5,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 3W (Ta), 210W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | 175°C | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | 8-SOP Advance (5x5) | |
| Basisproduktnummer | TPH2R408 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | U-MOSX-H | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 120A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.43mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 87 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | 8-PowerVDFN | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 80 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 8300 pF @ 40 V | |
| Verlustleistung (max.) | 3W (Ta), 210W (Tc) | |
| Andere Namen | 264-TPH2R408QML1QTR 264-TPH2R408QML1QCT 264-TPH2R408QML1QDKR TPH2R408QM,L1Q(M |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
TPH2R306NH1,LQToshiba Semiconductor and Storage
TPH2R608NH,L1QToshiba Semiconductor and Storage
TJA1042TK/3,118NXP USA Inc.
NTMFS5C612NLT1Gonsemi- TPH3R70APL,L1QToshiba Semiconductor and Storage
STL120N8F7STMicroelectronics