DMN4036LK3-13

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Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Diodes Incorporated
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	TO-252-3
Basisproduktnummer	DMN4036
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	-
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	8.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	36mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	9.2 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Max)	±20V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	453 pF @ 20 V
Verlustleistung (max.)	2.12W (Ta)
Andere Namen	DMN4036LK3-13DITR DMN4036LK3-13DICT DMN4036LK3-13DIDKR DMN4036LK313

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