CSD18533Q5AT

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Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Texas Instruments
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	8-VSONP (5x6)
Basisproduktnummer	CSD18533
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	NexFET™
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	17A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.9mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	36 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	8-PowerTDFN
Vgs (Max)	±20V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	2750 pF @ 30 V
Verlustleistung (max.)	3.2W (Ta), 116W (Tc)
Andere Namen	296-41959-2 296-41959-1 TEXTISCSD18533Q5AT 2156-CSD18533Q5AT 296-41959-6

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