SIRC16DP-T1-GE3

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Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Vishay Siliconix
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	PowerPAK® SO-8
Basisproduktnummer	SIRC16
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	TrenchFET® Gen IV
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	60A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	0.96mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	48 nC @ 4.5 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	PowerPAK® SO-8
Vgs (Max)	+20V, -16V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	25 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	5150 pF @ 10 V
Verlustleistung (max.)	54.3W (Tc)
Andere Namen	SIRC16DP-T1-GE3TR SIRC16DP-T1-GE3CT SIRC16DP-T1-GE3DKR

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