CSD16342Q5A

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Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Texas Instruments
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	8-VSONP (5x6)
Basisproduktnummer	CSD16342Q5
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	NexFET™
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	100A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	2.5V, 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.7mOhm @ 20A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	7.1 nC @ 4.5 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	8-PowerTDFN
Vgs (Max)	+10V, -8V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	25 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	1350 pF @ 12.5 V
Verlustleistung (max.)	3W (Ta)
Andere Namen	296-30314-6 296-30314-2 296-30314-1 2156-CSD16342Q5A -CSD16342Q5A-NDR CSD16342Q5A-ND -296-30314-1 -296-30314-1-ND TEXTISCSD16342Q5A

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