FDD86102

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MOSFET N-CH 100V 8A/36A DPAK

NOVA-Teilenummer:

312-2282250-FDD86102

Hersteller:

Hersteller-Teile-Nr:

FDD86102

Standardpaket:

2,500

Technisches Datenblatt:

N-Channel 100 V 8A (Ta), 36A (Tc) 3.1W (Ta), 62W (Tc) Surface Mount TO-252AA

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	onsemi
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	TO-252AA
Basisproduktnummer	FDD861
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	PowerTrench®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	8A (Ta), 36A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	24mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	19 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Max)	±20V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	1035 pF @ 50 V
Verlustleistung (max.)	3.1W (Ta), 62W (Tc)
Andere Namen	FDD86102TR FDD86102DKR FDD86102CT