NVMFS6H818NWFT1G
MOSFET N-CH 80V 20A/123A 5DFN
NOVA-Teilenummer:
312-2288718-NVMFS6H818NWFT1G
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
NVMFS6H818NWFT1G
Standardpaket:
1,500
Technisches Datenblatt:
N-Channel 80 V 20A (Ta), 123A (Tc) 3.8W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | |
| Basisproduktnummer | NVMFS6 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 20A (Ta), 123A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 190µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 46 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | 8-PowerTDFN, 5 Leads | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 80 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 3100 pF @ 40 V | |
| Verlustleistung (max.) | 3.8W (Ta), 136W (Tc) | |
| Andere Namen | NVMFS6H818NWFT1G-ND NVMFS6H818NWFT1GOSTR NVMFS6H818NWFT1GOSDKR 2156-NVMFS6H818NWFT1G-OS ONSONSNVMFS6H818NWFT1G NVMFS6H818NWFT1GOSCT |
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