IPB60R060C7ATMA1
MOSFET N-CH 650V 35A TO263-3
NOVA-Teilenummer:
312-2292537-IPB60R060C7ATMA1
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
IPB60R060C7ATMA1
Standardpaket:
1,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 650 V 35A (Tc) 162W (Tc) Surface Mount D2PAK (TO-263)
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | D2PAK (TO-263) | |
| Basisproduktnummer | IPB60R060 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | CoolMOS™ C7 | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 35A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 15.9A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 800µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 68 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 2850 pF @ 400 V | |
| Verlustleistung (max.) | 162W (Tc) | |
| Andere Namen | SP001385008 IPB60R060C7ATMA1-ND IPB60R060C7ATMA1TR IPB60R060C7ATMA1CT IPB60R060C7ATMA1DKR |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
IPB60R080P7ATMA1Infineon Technologies
STB43N65M5STMicroelectronics
IPB60R040C7ATMA1Infineon Technologies- IPB60R040CFD7ATMA1Infineon Technologies
- IPB600N25N3GATMA1Infineon Technologies