NTBG080N120SC1
SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7
NOVA-Teilenummer:
312-2299416-NTBG080N120SC1
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
NTBG080N120SC1
Standardpaket:
800
Technisches Datenblatt:
N-Channel 1200 V 30A (Tc) 179W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | D2PAK-7 | |
| Basisproduktnummer | NTBG080 | |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Serie | - | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 30A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 20V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 20A, 20V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.3V @ 5mA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 56 nC @ 20 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA | |
| Vgs (Max) | +25, -15V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 1154 pF @ 800 V | |
| Verlustleistung (max.) | 179W (Tc) | |
| Andere Namen | 488-NTBG080N120SC1CT 488-NTBG080N120SC1DKR 488-NTBG080N120SC1TR |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
- NVBG080N120SC1onsemi
- MCP6L04T-E/SLMicrochip Technology
- STPSC20H12G-TRSTMicroelectronics
- NVBG040N120SC1onsemi
- NTBG040N120SC1onsemi
- NTH4L080N120SC1onsemi





