FDD306P
MOSFET P-CH 12V 6.7A TO252
NOVA-Teilenummer:
312-2282454-FDD306P
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
FDD306P
Standardpaket:
2,500
Technisches Datenblatt:
P-Channel 12 V 6.7A (Ta) 52W (Ta) Surface Mount TO-252AA
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | TO-252AA | |
| Basisproduktnummer | FDD306 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | PowerTrench® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 6.7A (Ta) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 1.8V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 6.7A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 4.5 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Max) | ±8V | |
| FET-Typ | P-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 12 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 1290 pF @ 6 V | |
| Verlustleistung (max.) | 52W (Ta) | |
| Andere Namen | FDD306P-ND 2156-FDD306P-OS ONSONSFDD306P FDD306PTR FDD306PDKR FDD306PCT |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
CSD25485F5TTexas Instruments
FDD4685onsemi
SI3493DDV-T1-GE3Vishay Siliconix
DMP4051LK3-13Diodes Incorporated- NP20P04SLG-E1-AYRenesas Electronics America Inc
- ZXMP6A17KTCDiodes Incorporated
FDN306Ponsemi
SPD09P06PLGBTMA1Infineon Technologies- ZXMP4A16KTCDiodes Incorporated
MJD210RLGonsemi
FDC606Ponsemi
