CSD19506KTT

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Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Texas Instruments
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	DDPAK/TO-263-3
Basisproduktnummer	CSD19506
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	NexFET™
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	200A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	156 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Vgs (Max)	±20V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	80 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	12200 pF @ 40 V
Verlustleistung (max.)	375W (Tc)
Andere Namen	296-49604-6 CSD19506KTT-ND 296-49604-1 296-49604-2

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