SIJ186DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 23A/79.4A PPAK
NOVA-Teilenummer:
312-2263327-SIJ186DP-T1-GE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SIJ186DP-T1-GE3
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 60 V 23A (Ta), 79.4A (Tc) 5W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | PowerPAK® SO-8 | |
| Basisproduktnummer | SIJ186 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | TrenchFET® Gen IV | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 23A (Ta), 79.4A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 15A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.6V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 37 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | PowerPAK® SO-8 | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 1710 pF @ 30 V | |
| Verlustleistung (max.) | 5W (Ta), 57W (Tc) | |
| Andere Namen | SIJ186DP-T1-GE3DKR SIJ186DP-T1-GE3CT SIJ186DP-T1-GE3TR |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
BSZ0702LSATMA1Infineon Technologies
R1525S033B-E2-KERICOH Electronic Devices Co., LTD.
NTMFS5C670NLT1Gonsemi
SIR180DP-T1-RE3Vishay Siliconix
V23079E1203B301TE Connectivity Potter & Brumfield Relays
DMT6005LPS-13Diodes Incorporated
W25Q128JVPIQ TRWinbond Electronics
SIR186LDP-T1-RE3Vishay Siliconix
PI4ULS5V202UEXDiodes Incorporated
PI4ULS3V204ZBEXDiodes Incorporated
SDM10U45-7Diodes Incorporated
R3111Q241A-TR-FERICOH Electronic Devices Co., LTD.
