SI7478DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 15A PPAK SO-8
NOVA-Teilenummer:
312-2279551-SI7478DP-T1-GE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SI7478DP-T1-GE3
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:

N-Channel 60 V 15A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8

More Information
KategorieTransistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
HerstellerVishay Siliconix
RoHS 1
VerpackungTape & Reel (TR)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Gerätepaket des Lieferanten PowerPAK® SO-8
Basisproduktnummer SI7478
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
SerieTrenchFET®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 15A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 160 nC @ 10 V
FET-Funktion-
Paket/KofferPowerPAK® SO-8
Vgs (Max)±20V
FET-TypN-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)60 V
Verlustleistung (max.) 1.9W (Ta)
Andere NamenSI7478DPT1GE3
SI7478DP-T1-GE3DKR
SI7478DP-T1-GE3CT
SI7478DP-T1-GE3TR

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