RFD3055LESM9A
MOSFET N-CH 60V 11A TO252AA
NOVA-Teilenummer:
312-2271443-RFD3055LESM9A
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
RFD3055LESM9A
Standardpaket:
2,500
Technisches Datenblatt:
N-Channel 60 V 11A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount TO-252AA
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Harris Corporation | |
| RoHS | 1 | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | TO-252AA | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 11A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 107mOhm @ 8A, 5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 11.3 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Max) | ±16V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 350 pF @ 25 V | |
| Verlustleistung (max.) | 38W (Tc) | |
| Andere Namen | 2156-RFD3055LESM9A-HCTR ONSONSRFD3055LESM9A |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
FQD13N06LTMonsemi- IXTY01N100IXYS