IXFN82N60Q3
MOSFET N-CH 600V 66A SOT227B
NOVA-Teilenummer:
312-2291916-IXFN82N60Q3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
IXFN82N60Q3
Standardpaket:
10
Technisches Datenblatt:
N-Channel 600 V 66A (Tc) 960W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Chassis Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | SOT-227B | |
| Basisproduktnummer | IXFN82 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | HiPerFET™, Q3 Class | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 66A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75mOhm @ 41A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 6.5V @ 8mA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 275 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | SOT-227-4, miniBLOC | |
| Vgs (Max) | ±30V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 13500 pF @ 25 V | |
| Verlustleistung (max.) | 960W (Tc) |
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